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PCB/SMT 工业品

NTF3055-100T1G-VB实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTF3055-100T1G-VB

1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: NTF3055-100T1G-VB
商品编号: C6705298
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.277205克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	4.5A
	导通电阻(RDS(on))	76mΩ@10V；85mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	3W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

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