SI1304BDL-T1-GE3-VB

1个N沟道 耐压:20V 电流:4A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有良好的性能稳定性和可靠性。适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块，如电源开关、电动工具控制器和低压断路器等领域。SC70-3；N—Channel沟道,20V；4A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V；Vth=0.6~1.3V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI1304BDL-T1-GE3-VB

商品编号

C6705299

商品封装

SOT-323(SC-70)​

包装方式

编带

商品毛重

0.053115克(g)