IRLR3410TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型场效应管,适用于多种应用场景,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。TO252;N—Channel沟道,100V;15A;RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLR3410TRPBF-VB商品编号
C6705294商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.474487克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 114mΩ@10V,3A | |
功率(Pd) | 96W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 950pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
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