SIJ482DP-T1-GE3
SIJ482DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ482DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5753945
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 能够在5V栅极驱动下工作
应用领域
- DC/DC原边开关
- 同步整流
- 大电流开关
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