SIR632DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:29A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性:ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss的平衡。 100% Rg和UIS测试。应用:固定电信DC/DC转换器。 初级和次级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR632DP-T1-RE3
- 商品编号
- C5754024
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.273333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- ThunderFET 技术优化了 R\textDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
-固定电信-DC/DC 转换器-初级和次级侧开关-电池管理-同步整流
相似推荐
其他推荐
- SIR664DP-T1-GE3
- SIR870ADP-T1-RE3
- SIRA90DP-T1-GE3
- SISA72ADN-T1-GE3
- SISH101DN-T1-GE3
- SISH106DN-T1-GE3
- SISH617DN-T1-GE3
- SISHA18ADN-T1-GE3
- SISS588DN-T1-GE3
- SI7117DN-T1-GE3
- SI7190DP-T1-GE3
- SI7615DN-T1-GE3
- SI7686DP-T1-GE3
- SI7742DP-T1-GE3
- SI7788DP-T1-GE3
- SQ2364EES-T1_BE3
- SQA407CEJW-T1_GE3
- SQA413CEJW-T1_GE3
- SQA442EJ-T1_GE3
- SQD90P04_9M4LT4GE3
- SQJ142EP-T1_GE3

