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SQA407CEJW-T1_GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 可焊侧翼端子。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQA407CEJW-T1_GE3
- 商品编号
- C5758756
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 13.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 可焊侧端
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 低端DC/DC转换-笔记本电脑-游戏设备-核心电压