SQSA82CENW-T1_GE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:12A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQSA82CENW-T1_GE3
- 商品编号
- C5758867
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准,无卤
- N沟道MOSFET
- M95320-WMN6TP/P
- SQW-120-01-LM-D-VS-A
- SQT-101-01-L-D
- M95FATEA-03-STDN
- SQW-120-01-LM-D-VS-A-P
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- SQW-120-01-S-D-VS
- SQT-102-01-G-S
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- SQT-103-01-F-5
- SQW-121-01-L-D-VS-A-P
- SQT-103-01-F-Q
- MA-506 60.0000M-C0:ROHS
- SQW-122-01-L-D-VS-A-TR
- SQT-103-01-F-S-RA-001
- SQW-122-01-S-T
- MA01F100VAABR500
- MA01F140VAABR500
- SQW-122-01-SM-D-VS-A-K-TR
- MA01R080VADBR500
- SQW-123-01-F-D-VS-LC