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SQA413CEJW-T1_GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:7.5A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 可焊侧翼端子。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQA413CEJW-T1_GE3
- 商品编号
- C5758760
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 13.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 可焊侧翼端子
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- P沟道MOSFET
- SQA442EJ-T1_GE3
- SQW-115-01-F-D-VS-P-TR
- M85049/117S15TZ06-6D
- M85049/17-08Z01
- SQAC0806-16NG-RC
- M85049/17-10Z03
- SQW-115-01-F-Q
- M85049/17-14Z03B
- M85049/17-16Z04
- SQW-115-01-L-D-029
- SQAC0807-11NG-RC
- M85049/17-16Z05B
- SQW-115-01-L-D-VS-A-K-TR
- SQAC1515-47NJ-RC
- SQW-115-01-S-D-VS-A-P
- M85049/17-16Z06
- SQAC2929-431NJ-RC
- SQW-116-01-F-D-VS-A-P
- M85049/17-16Z06B
- SQW-116-01-F-Q
- SQBW4022RJFASTON