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SQJA90EP-T1_GE3
汽车级N沟道80 V（D-S）、175 °C MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJA90EP-T1_GE3
- 商品编号
- C5758835
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.487nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- SQJQ186ER-T1_GE3
- SQM40016EM_GE3
- SQSA82CENW-T1_GE3
- M85049/25-09Z
- SQW-118-01-L-D-VS-K-TR
- SQW-118-01-S-Q
- M85049/77-24Z07
- SQW-119-01-L-6
- SQPW10150RK
- SQW-119-01-S-D-VS-A
- M85049/85-08Z02
- SQW-120-01-F-D-VS-A-K-TR
- M85049/85-16N01
- SQW-120-01-H-6
- SQR141U1WHW
- SQW-120-01-L-D-VS-LC-K-TR
- M850494821F
- SQW-120-01-L-T
- M95320-WMN6TP/P
- SQW-120-01-LM-D-VS-A
- SQT-101-01-L-D