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SQA442EJ-T1_GE3
汽车级N沟道，60 V（D-S）、175 °C MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQA442EJ-T1_GE3
- 商品编号
- C5758763
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 13.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 636pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 242pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK封装
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关-工业领域-负载点(POL)