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SQM50034E_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM50034E_GE3
- 商品编号
- C5758848
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 电信
- 服务器和电信电源
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 发光二极管（LED）
- 消费电子和计算机领域
- ATX电源
- 工业领域
- 焊接
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）
- 开关模式电源（SMPS）
- 采用以下拓扑结构的应用
- LLC谐振电路
- 移相全桥（ZVS）
- 三电平逆变器
- 交直流桥