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SISH101DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:16.9A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。100% Rg和UIS测试。应用：笔记本适配器开关。笔记本电池管理
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH101DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5754034
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V, | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 408pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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