温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQ2364EES-T1_BE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:2A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2364EES-T1_BE3
- 商品编号
- C5758702
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC - Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 典型静电放电(ESD)保护电压800 V
- 符合RoHS标准
- 无卤