SISH106DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:12.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH106DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5754036
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 额定2.5 V的导通电阻RDS(on)
- 脉宽调制(PWM)优化
- 100%栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- SISH617DN-T1-GE3
- SISHA18ADN-T1-GE3
- SISS588DN-T1-GE3
- SI7117DN-T1-GE3
- SI7190DP-T1-GE3
- SI7615DN-T1-GE3
- SI7686DP-T1-GE3
- SI7742DP-T1-GE3
- SI7788DP-T1-GE3
- SQ2364EES-T1_BE3
- SQA407CEJW-T1_GE3
- SQA413CEJW-T1_GE3
- SQA442EJ-T1_GE3
- SQD90P04_9M4LT4GE3
- SQJ142EP-T1_GE3
- SQJ154EP-T1_GE3
- SQJ461EP-T2_GE3
- SQJ474EP-T1_BE3
- SQJ486EP-T1_BE3
- SQJ858EP-T1_GE3
- SQJA37EP-T1_GE3