SI7742DP-T1-GE3
SI7742DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7742DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5754595
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- SkyFET 单片 TrenchFET 功率 MOSFET 和肖特基二极管
- 100% 进行 Rg 测试
- 100% 进行 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电压调节模块 (VRM)、负载点 (POL)、服务器
- 大电流直流-直流转换 - 低端
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