SI7190DP-T1-GE3
SI7190DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7190DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5754587
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 118mΩ@10V,4.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 61.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.214nF@125V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 适用于汽车应用（型号代码为“J”时）
- 低导通电阻
- 支持4 V栅极驱动
- 高密度安装
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