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SIR664DP-T1-GE3
N沟道 60V 60A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：初级侧开关。 同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR664DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5754026
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 720pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 原边开关
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 升压转换器
- DC/AC逆变器
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