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SIRA90DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:65.8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg 和UIS测试。应用：同步整流。 OR-ing
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA90DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5754031
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.18nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 306pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 固定电信-DC/DC转换器-初级和次级侧开关
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