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SISA72ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:92A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET针对最低的RDS-Qoss品质因数进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。 Qgd / Qgs比率 < 1，优化开关特性。应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISA72ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C5754032
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 92A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.53nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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