NTB190N65S3HF
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统,实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB190N65S3HF
- 商品编号
- C604393
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 162W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.61nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个800个/圆盘
总价金额:
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