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NTB190N65S3HF实物图
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NTB190N65S3HF

1个N沟道 耐压:650V 电流:20A

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描述
SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统,实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTB190N65S3HF
商品编号
C604393
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.83克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)162W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)1.61nF@400V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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