NTH4L020N120SC1
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:102A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTH4L020N120SC1
- 商品编号
- C604399
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 102A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@20V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 510W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.943nF@800V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF@800V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on) = 20 mΩ
- 超低栅极电荷(QG(tot) = 220 nC)
- 低电容高速开关(Coss = 258 pF)
- 100%雪崩测试
- 结温TJ = 175°C
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 直流-直流转换器(DC/DC Converter)
- 升压逆变器(Boost Inverter)
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