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NTH4L020N120SC1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTH4L020N120SC1

1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:102A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTH4L020N120SC1
商品编号
C604399
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
6.46克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)102A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@20V,60A
耗散功率(Pd)510W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.943nF@800V
反向传输电容(Crss)24pF@800V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 典型导通电阻RDS(on) = 20 mΩ
  • 超低栅极电荷(QG(tot) = 220 nC)
  • 低电容高速开关(Coss = 258 pF)
  • 100%雪崩测试
  • 结温TJ = 175°C
  • 该器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 不间断电源(UPS)
  • 直流-直流转换器(DC/DC Converter)
  • 升压逆变器(Boost Inverter)

数据手册PDF