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NTHL082N65S3F

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描述: SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTHL082N65S3F
商品编号: C604407
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7.175克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有出色的反向恢复性能，可减少额外元件并提高系统可靠性。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 70 mΩ
超低栅极电荷(典型Qg = 81 nC)
低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 722 pF)
经过100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

-电信/服务器电源-工业电源-电动汽车充电器-不间断电源/太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	82mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	313W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	81nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.41nF
	反向传输电容(Crss)	126pF
	工作温度	-55℃~+150℃