温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS4C029NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:46A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准。应用：CPU电源供应。DC-DC转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS4C029NT1G
- 商品编号
- C604425
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.88mΩ@10V,46A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 987pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 162pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准
应用领域
- CPU 供电
- DC-DC 转换器
相似推荐
其他推荐
- NTMFS4C032NT1G
- NTMFS4C05NAT1G
- NTMFS4C09NBT1G
- NTMFS4H02NFT1G
- NTMFS5C404NLT1G
- NTMFS5C404NT1G
- NTMFS5C410NT1G
- NTMFS5C423NLT3G
- NTMFS5C430NT1G
- NTMFS5C442NLTT3G
- NTMFS5C450NLT1G
- NTMFS5C450NT1G
- NTMFS5C456NLT1G
- NTMFS5C460NLT1G
- NTMFS5C612NLT3G
- NTMFS5C628NLT3G
- NTMFS5C673NLT1G
- NTMFS5C682NLT1G
- NTMFS5H400NLT3G
- NTMFS5H409NLT3G
- NTMFS5H414NLT1G