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NTMFS5H615NLT1G
NTMFS5H615NLT1G
- 描述
- 功率 MOSFET，60V，200A，1.8mΩ，单 N 沟道，SO-8FL，逻辑电平
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5H615NLT1G
- 商品编号
- C604451
- 商品封装
- SO-8-FL-5.8mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 139W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.86nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
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