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NTMFS6H800NT1G
1个N沟道 耐压:80V 电流:203A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的商用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS6H800NT1G
- 商品编号
- C604456
- 商品封装
- DFN5(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 203A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
GT52N10D5采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器