NTP5864NG
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.4mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）
- 高电流承载能力
- 规定雪崩能量
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
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