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NTTFS1D2N02P1E
1个N沟道 耐压:25V 电流:23A 电流:180A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS1D2N02P1E
- 商品编号
- C604496
- 商品封装
- PQFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A；180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.86mΩ@10V,38A | |
| 耗散功率(Pd) | 820mW；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.04nF@13V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸，适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-功率负载开关-笔记本电池管理
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