温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVD5117PLT4G-VF01
1个P沟道 耐压:60V 电流:61A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 汽车用功率 MOSFET，-60V，-61A，16 mΩ，单 P 沟道，DPAK，逻辑电平AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5117PLT4G-VF01
- 商品编号
- C604532
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,61A | |
| 耗散功率(Pd) | 118W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交11单