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NVD6416ANLT4G-VF01
1个N沟道 耐压:100V 电流:19A
- 描述
- 特性：低导通电阻。 高电流能力。 100%雪崩测试。 NVD前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD6416ANLT4G-VF01
- 商品编号
- C604540
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V,19A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货95-97个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5000 个)个
起订量：5000 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单