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NVHL072N65S3

1个N沟道耐压:650V 电流:44A

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描述: SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NVHL072N65S3
商品编号: C604552
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

SuperFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极高的dv/dt速率。因此，SuperFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实现更加轻松。

商品特性

通过AEC-Q101认证
最大结温150°C
典型导通电阻RDS(on) = 61 mΩ
超低栅极电荷(典型QG = 82 nC)
低有效输出电容(典型COSS(eff.) = 724 pF)
100%经过雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

汽车插电式混合动力汽车(PHEV) - 纯电动汽车(BEV)直流 - 直流转换器
汽车插电式混合动力汽车(PHEV) - 纯电动汽车(BEV)车载充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	44A
	导通电阻(RDS(on))	61mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	312W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	82nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.3nF
	反向传输电容(Crss)	14.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃