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NVLUS4C12NTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:10.7A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVLUS4C12NTAG
- 商品编号
- C604557
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.172nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低外形UDFN 2.0 x 2.0 x 0.55 mm封装，节省电路板空间，漏极焊盘外露，导热性能出色
- 超低导通电阻RDS(on)，降低传导损耗
- 优化栅极电荷，降低开关损耗
- 低电容，使驱动损耗最小化
- NV前缀适用于汽车及其他有特殊产地和变更控制要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 电源负载开关-同步直流-直流转换器-无线充电电路
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