温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMD4N03R2G
2个N沟道 耐压:30V 电流:4A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMD4N03R2G
- 商品编号
- C604558
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 专为低压、高速开关应用设计
- 超低导通电阻,可提高效率并延长电池寿命
- RDS(导通) = 0.048 Ω,VGS = 10 V(典型值)
- RDS(导通) = 0.065 Ω,VGS = 4.5 V(典型值)
- 微型SO - 8表面贴装封装,节省电路板空间
- 二极管适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- NVMD前缀适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-计算机-打印机-移动电话和无绳电话-磁盘驱动器和磁带驱动器
相似推荐
其他推荐
- NVMFD5483NLT1G
- NVMFD5483NLWFT1G
- NVMFD5483NLWFT3G
- NVMFD5C462NLT1G
- NVMFD5C462NLWFT1G
- NVMFD5C462NT1G
- NVMFD5C466NLT1G
- NVMFD5C466NLWFT1G
- NVMFD5C466NT1G
- NVMFD5C470NLT1G
- NVMFD5C470NLWFT1G
- NVMFD5C470NT1G
- NVMFD5C478NLT1G
- NVMFD5C478NT1G
- NVMFD5C650NLT1G
- NVMFD5C672NLT1G
- NVMFD5C680NLT1G
- NVMFD5C680NLWFT1G
- NVMFD6H840NLT1G
- NVMFD6H840NLWFT1G
- NVMFS4C01NT1G