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NVMFD5C466NT1G
2个N沟道 耐压:40V 电流:49A 电流:14A
- 描述
- 适用于紧凑和高能效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFD5C466NT1G
- 商品编号
- C604567
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A；49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.1mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W；38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 超低导通电阻（RDS(on)），提高系统效率
- 采用3.3×3.3 mm先进封装技术，节省空间且导热性极佳
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
-电源负载开关-保护功能:防反向电流、过压和负向反电压-电池管理
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