温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS5113PLT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:64A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。可焊侧翼产品。NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5113PLT1G
- 商品编号
- C604582
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低 RDS(on) 以最小化传导损耗
- 高电流承载能力
- 规定雪崩能量
- NVMFS5113PLWF - 可焊侧翼产品
- NVM 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 (BFR),且符合 RoHS 标准
相似推荐
其他推荐
- NVMFS5113PLWFT1G
- NVMFS5834NLT1G
- NVMFS5844NLT1G
- NVMFS5A160PLZT1G
- NVMFS5C404NLWFAFT1G
- NVMFS5C404NLWFT1G
- NVMFS5C404NWFAFT1G
- NVMFS5C406NT1G
- NVMFS5C410NAFT1G
- NVMFS5C410NLAFT1G
- NVMFS5C423NLAFT1G
- NVMFS5C423NLWFAFT1G
- NVMFS5C430NAFT1G
- NVMFS5C430NLAFT1G
- NVMFS5C442NAFT1G
- NVMFS5C442NLT1G
- NVMFS5C450NLAFT1G
- NVMFS5C456NT1G
- NVMFS5C460NLAFT1G
- NVMFS5C460NWFT1G
- NVMFS5C466NLT1G