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NVMFS5113PLT1G实物图
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NVMFS5113PLT1G

1个P沟道 耐压:60V 电流:64A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。可焊侧翼产品。NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMFS5113PLT1G
商品编号
C604582
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.135克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)64A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V,64A
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)83nC@10V
输入电容(Ciss)4.4nF@25V
反向传输电容(Crss)319pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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