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NVMFS5113PLWFT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:64A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。可焊侧翼产品。NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5113PLWFT1G
- 商品编号
- C604583
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.217133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,64A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 319pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通态漏源电阻（RDS(on)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷（QG）和电容，可将驱动损耗降至最低
- NVMFS5C456NWF – 可焊侧翼选项，便于加强光学检测
- 通过 AEC-Q101 认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准
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