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NVMFS5834NLT1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:75A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm 扁平引线封装，且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5834NLT1G
- 商品编号
- C604584
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.231nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低RDS(ON)
- 低电容
- 优化的栅极电荷
- NVMFS5834NLWF - 可焊侧翼产品
- NVMFS 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理，如：移动电话、无绳电话和 PCMCIA 卡
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