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NVE4153NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:915mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20V，915mA，230mΩ，单 N 沟道，SC-89，带 ESD 保护。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVE4153NT1G
- 商品编号
- C604543
- 商品封装
- SC-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 915mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 127mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.82nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- NVMFD5C466NWF - 可焊侧翼选项，便于光学检测
- 通过AEC-Q101认证且可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准