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NVE4153NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:915mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20V，915mA，230mΩ，单 N 沟道，SC-89，带 ESD 保护。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVE4153NT1G
- 商品编号
- C604543
- 商品封装
- SC-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 915mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 127mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.82nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低 RDS(on),提高系统效率
- 低阈值电压,额定值为 1.5 V
- 栅极具备静电放电保护
- NV 前缀适用于汽车及其他需要特定产地和管控变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 提供无铅封装
应用领域
- 负载/电源开关
- 电源转换电路
- 电池管理
- 如手机、个人数字助理(PDA)、数码相机、寻呼机等便携式设备