NVHL040N65S3F
1个N沟道 耐压:650V 电流:65A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统,实现系统小型化和更高效能。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能使其无需额外部件,并可提高系统可靠性。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVHL040N65S3F
- 商品编号
- C604551
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 153nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.875nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。
因此,SUPERFET III MOSFET非常适合各类追求小型化和更高效率的电源系统。
SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化,具备出色的反向恢复性能,可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 33.8 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 153 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 1333 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
应用领域
- 汽车车载充电器(混合动力汽车 - 电动汽车)
- 汽车DC/DC转换器(混合动力汽车 - 电动汽车)
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