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NVGS3443T1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.1A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVGS3443T1G
- 商品编号
- C604545
- 商品封装
- TSOP-6-1.7mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V,4.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 超低导通电阻RDS(on)
- 更高效率，延长电池寿命
- 微型TSOP-6表面贴装封装
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
- NVGS前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理，如：蜂窝电话和无绳电话，以及PCMCIA卡