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NVGS5120PT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.9A
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。-60V -2.9A，111 Ω，单 P 沟道，TSOP-6，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVGS5120PT1G
- 商品编号
- C604548
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 111mΩ@10V,2.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 942pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用TSOP-6封装，BVds为60 V，低RDS(on)
- 栅极额定电压为4.5 V
- 适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用的NV前缀产品；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 高端负载开关-打印机、通信设备的电源开关
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