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NVD5C434NT4G
1个N沟道 耐压:40V 电流:163A
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- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD5C434NT4G
- 商品编号
- C604533
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 163A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 117W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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