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NTTFS4C02NTAG

N沟道 30V 170A

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描述
功率 MOSFET 30 V,170 A,单 N 沟道,8FL
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTTFS4C02NTAG
商品编号
C604498
商品封装
WDFN-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.097克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)91W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)2.98nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.2nF

商品特性

  • 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
  • 采用行业标准的Power 88封装
  • 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

数据手册PDF