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NTTFS5C673NLTAG
耐压:60V 电流:50A
- 描述
- 特性：小尺寸封装（3.3x3.3 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。 无卤、无铅，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS5C673NLTAG
- 商品编号
- C604508
- 商品封装
- DFN-5(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 小尺寸封装(3.3x3.3 mm),适合紧凑设计
- 低 RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低 QG 和电容,可将驱动损耗降至最低
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准