温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVD3055-094T4G-VF01
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用的汽车级功率 MOSFET。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD3055-094T4G-VF01
- 商品编号
- C604530
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF |
商品概述
NVH820S75L4SPB是VE-Trac™ Direct系列高度集成电源模块中的一款产品，该系列电源模块采用行业标准封装，适用于混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）牵引逆变器应用。 该模块以6管封装形式集成了六个场截止4（FS4）750V窄台面IGBT，在提供高电流密度方面表现出色，同时具备强大的短路保护功能和更高的阻断电压。此外，FS4 750V窄台面IGBT在轻载时功率损耗较低，有助于提高汽车应用中整个系统的效率。 为便于组装并确保可靠性，新一代压接引脚被集成到电源模块的信号端子中。此外，该电源模块的基板上配备了优化的针翅式散热器。
商品特性
- 集成针翅式散热器的直接冷却方式
- 超低杂散电感
- 最高结温Tjmax = 175°C连续运行
- 低集射极饱和电压(VCESAT)和开关损耗
- 汽车级FS4 750V窄台面IGBT
- 快速恢复二极管芯片技术
- 4.2kV隔离DBC基板
- 易于集成的6管封装拓扑结构
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 混合动力和电动汽车牵引逆变器
- 高功率转换器