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NVB190N65S3F
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVB190N65S3F
- 商品编号
- C604527
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 162W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.605nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有良好的反向恢复性能，可减少额外元件的使用，提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 158 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Q_g = 34 nC）
- 低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 314 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 通过AEC - Q101认证
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 汽车车载充电器
- 混合动力汽车（HEV）的汽车DC/DC转换器