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NVC3S5A51PLZT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.8A 停产
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- 描述
- 汽车功率MOSFET，旨在最大程度降低栅极电荷和导通电阻。该MOSFET通过AEC - Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVC3S5A51PLZT1G
- 商品编号
- C604529
- 商品封装
- CPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 262pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
-60V、250mΩ、-1.8A、P沟道。汽车功率MOSFET，旨在最大限度降低栅极电荷和导通电阻。此MOSFET符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序(PPAP)文件，适用于汽车应用。
商品特性
- 4V驱动
- 高静电放电(ESD)保护
- 低导通电阻
- 符合AEC-Q101标准，可提供PPAP文件
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 反接电池保护-高端负载开关-汽车车身控制器