NVD6824NLT4G
1个N沟道 耐压:100V 电流:41A
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- 描述
- 汽车用功率 MOSFET，100V，41A，20 mΩ，单 N 沟道，DPAK，逻辑电平AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD6824NLT4G
- 商品编号
- C604541
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.468nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 133pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 高电流承载能力
- 规定雪崩能量
- 通过AEC - Q101认证
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准