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NTPF190N65S3HF

1个N沟道耐压:650V 电流:20A

描述: SUPERFET III MOSFET是利用电荷平衡技术的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管具有优化的反向恢复性能，可以去除额外的元件并提高系统可靠性。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTPF190N65S3HF
商品编号: C604478
商品封装: TO-220FP
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET优化了体二极管的反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 152 mΩ
超低栅极电荷(典型Qg = 34 nC)
低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 316 pF)
100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

-计算机/显示器电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	190mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	36W
	阈值电压(Vgs(th))	5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	34nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.61nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	30pF