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NTR3A052PZT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
- 描述
- 特性：领先的 -20V 沟槽技术，实现低导通电阻 RDS(on)。 -1.8V 额定电压，适用于低电压栅极驱动。 这些器件无铅、无卤素/BFR，符合 RoHS 标准。应用：电源负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR3A052PZT1G
- 商品编号
- C604479
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 720mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.243nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低RDS(on)的-20 V先导沟槽
- 额定-1.8 V,适用于低电压栅极驱动
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-功率负载开关
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