NVATS68301PZT4G
1个P沟道 耐压:100V 电流:31A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVATS68301PZT4G
- 商品编号
- C604522
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 84W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.85nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
NVATS68301PZ是一款功率MOSFET，专为实现紧凑尺寸和高效率而设计，可实现高散热性能。该MOSFET符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 高电流承载能力
- 100%雪崩测试
- 符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力
- ATPAK封装与DPAK（TO - 252）引脚兼容
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 反接电池保护-负载开关-汽车前照灯-汽车车身控制器